Tranzistor P-MOSFET Unipolar - Tensiune Maximă -30V, Curent Maxim -7,2A, Puls Maximal -30A, Putere 2,7W, Carcasă SO8

Cod producător: SI4431CDY-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor P-MOSFET Unipolar - Tensiune Maximă -30V, Curent Maxim -7,2A, Puls Maximal -30A, Putere 2,7W, Carcasă SO8🔍 zoom

Tranzistor: P-MOSFET · unipolar · -30V · -7,2A · Idm: -30A · 2,7W · SO8

În stoc
15,33 RON / bucată
TVA inclus
12,67 RON / bucată (fără TVA)
Expediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
Subtip ambalaj
rolă / bandă
Polarizare
unipolar
Montare
SMD
Subtip canal
îmbogăţit
Tensiune poarta sursa
±20V
Carcasa
SO8
Tip tranzistor
P-MOSFET
Incarcatura poarta
38nC
+ încă 5 parametri în specificații →

Specificații Tranzistor P-MOSFET Unipolar - Tensiune Maximă -30V, Curent Maxim -7,2A, Puls Maximal -30A, Putere 2,7W, Carcasă SO8

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip canalîmbogăţit
Tensiune poarta sursa±20V
CarcasaSO8
Tip tranzistorP-MOSFET
Incarcatura poarta38nC
Putere disipata2,7W
Rezistenta in timpul functionarii32mΩ
Tensiune drena sursa-30V
Curent de drena in impuls-30A
Curent drena-7,2A
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Întrebări despre acest produs

Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.

Produse asociate(10)

1 / 2