EMElectronicMag.ro
Tranzistor N-MOSFET TrenchFET® Unipolar 60V 2A - Idm 9A 2W, Componentă Semiconductoare Avansată

Tranzistor N-MOSFET TrenchFET® Unipolar 60V 2A - Idm 9A 2W, Componentă Semiconductoare Avansată

Cod producător: SQ2308CES-T1_GE3
Referință: SQ2308CES-T1-GE3
Producător:VISHAY
În stoc
2,78 RON
TVA inclus
2,30 RON (fără TVA)

Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip-ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip-canalîmbogăţit
Tip-tranzistorN-MOSFET
Tensiune-drena-sursa60V
Tensiune-poarta-sursa±20V
Putere-disipata2W
CarcasaSOT23
Curent-drena2A
TehnologieTrenchFET®
Curent-de-drena-in-impuls9A
Rezistenta-in-timpul-functionarii0,325Ω
Incarcatura-poarta3,5nC
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Produse asociate(10)

1 / 2
Lipsă stoc
Fără imagineUnealtă pentru îmbinare benzi
ANTISTAT
Unealtă pentru îmbinare benzi
4.496,37RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imagineKit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
BERNSTEIN
Kit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
804,32RONTVA inclus
În stoc
Fără imaginePensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
176,81RONTVA inclus
Stoc: 4
Fără imaginePensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
174,99RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imaginePensetă vârfuri îndoite 35° SMD
BERNSTEIN
Pensetă vârfuri îndoite 35° SMD
132,48RONTVA inclus
Stoc: 1
Fără imagine
ANTISTAT
Unealtă pentru Îmbinare Benzi
2.844,96RONTVA inclus