EMElectronicMag.ro
Tranzistor N-MOSFET TrenchFET® Unipolar 60V, 3,2A Idm 10A - Componentă Electronică Avansată

Tranzistor N-MOSFET TrenchFET® Unipolar 60V, 3,2A Idm 10A - Componentă Electronică Avansată

Cod producător: SI3458BDV-T1-GE3
Producător:VISHAY
În stoc
8,94 RON
TVA inclus
7,39 RON (fără TVA)

Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3,2A; Idm: 10A

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip-ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip-canalîmbogăţit
Tip-tranzistorN-MOSFET
Tensiune-drena-sursa60V
Tensiune-poarta-sursa±20V
Rezistenta-in-timpul-functionarii0,1Ω
Putere-disipata2,1W
Curent-de-drena-in-impuls10A
TehnologieTrenchFET®
Incarcatura-poarta11nC
Curent-drena3,2A
CarcasaTSOP6
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Produse asociate(10)

1 / 2
Lipsă stoc
Fără imagineUnealtă pentru îmbinare benzi
ANTISTAT
Unealtă pentru îmbinare benzi
4.496,37RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imagineKit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
BERNSTEIN
Kit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
804,32RONTVA inclus
În stoc
Fără imaginePensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
176,81RONTVA inclus
Stoc: 4
Fără imaginePensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
174,99RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imaginePensetă vârfuri îndoite 35° SMD
BERNSTEIN
Pensetă vârfuri îndoite 35° SMD
132,48RONTVA inclus
Stoc: 1
Fără imagine
ANTISTAT
Unealtă pentru Îmbinare Benzi
2.844,96RONTVA inclus