VISHAY IRFR014PBF Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 4,9A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
🔍 zoom- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 25W
- Tensiune drena sursa
- 60V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Rezistenta in timpul functionarii
- 0,2Ω
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 60V · 4,9A · 25W · DPAK,TO252
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 25W
- Tensiune drena sursa
- 60V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Rezistenta in timpul functionarii
- 0,2Ω
Specificații Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 4,9A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | VISHAY | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Putere disipata | 25W | |
| Tensiune drena sursa | 60V | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,2Ω | |
| Curent drena | 4,9A | |
| Carcasa | TO252 / DPAK | |
| Incarcatura poarta | 11nC |
Descriere Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 4,9A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
IRFR014PBF este un MOSFET de putere cu canal N, VISHAY, în capsulă DPAK (TO-252) pentru montaj SMD. Are comutare rapidă şi cerinţe simple de comandă.
La ce se foloseşte IRFR014PBF
IRFR014PBF este un tranzistor MOSFET de putere cu canal N, în configuraţie simplă, în varianta pentru montaj pe suprafaţă. Tensiunea drenă-sursă maximă este de 60V.
- Canal N, configuraţie simplă
- Comutare rapidă
- Montaj pe suprafaţă
- Tensiune drenă-sursă: 60V
Capsulă, pini şi montaj
Capsula este DPAK (TO-252), pentru montaj SMD, cu conturul de carcasă TO-252AA. În aplicaţii tipice cu montaj pe suprafaţă sunt posibile niveluri de disipare a puterii de până la 1,5 W.
- TO-252, DPAK
- Montaj SMD
- Contur carcasă: TO-252AA
Ce verifici la alegere
Tensiunea poartă-sursă maximă este de ±20V, iar sarcina totală de poartă este de maximum 11nC. Rezistenţa drenă-sursă în stare deschisă este de maximum 0,20Ω la VGS = 10 V.
- VGS: ±20V
- Qg (max.): 11nC
- RDS(on): max. 0,20Ω la VGS = 10 V
Documentație Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 4,9A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
Recenzii Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 4,9A 25W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(16)
- 5-060 – Kit pensete SMD ESD cu etui, rezistent
- 5-068-13 – Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
- DA-T263-401E-TR – Radiator extrudat negru, 12,7 mm
- DA-T263-101E-TR – Radiator extrudat negru, aluminiu
- DV-T263-301E-TR – Radiator extrudat aluminiu 12,7mm x 35,2mm
- DV-T263-101E-TR – Radiator extrudat aluminiu 12,7mm x 25,91mm
- DV-T263-201E-TR – Radiator extrudat aluminiu 12,7mm x 25,9mm
- 5-078-13 – Pensetă nemagnetică cu vârf ascuțit ESD 16g
- 5-422-13 – Pensetă BERNSTEIN ESD 130mm pentru poziționare elemente SMD, oțel inoxidabil
- 5 SA ESD – Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD