Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima 30V, Curent Maximal 35A, Curent Pulsat 80A

Cod producător: SISH625DN-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima 30V, Curent Maximal 35A, Curent Pulsat 80A🔍 zoom

Tranzistor: P-MOSFET · TrenchFET® · unipolar · -30V · -35A · Idm: -80A

În stoc
11,19 RON / bucată
TVA inclus
9,25 RON / bucată (fără TVA)
Expediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
Subtip ambalaj
rolă / bandă
Polarizare
unipolar
Montare
SMD
Subtip canal
îmbogăţit
Rezistenta in timpul functionarii
11mΩ
Tensiune poarta sursa
±20V
Tip tranzistor
P-MOSFET
Putere disipata
33W
+ încă 6 parametri în specificații →

Specificații Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima 30V, Curent Maximal 35A, Curent Pulsat 80A

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip canalîmbogăţit
Rezistenta in timpul functionarii11mΩ
Tensiune poarta sursa±20V
Tip tranzistorP-MOSFET
Putere disipata33W
Incarcatura poarta126nC
TehnologieTrenchFET®
Tensiune drena sursa-30V
Curent de drena in impuls-80A
Curent drena-35A
CarcasaPowerPAK® 1212-8
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Întrebări despre acest produs

Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.

Produse asociate(9)

1 / 2