Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® 20V - 89,6A - 42,1W

Cod producător: SISS61DN-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® 20V - 89,6A - 42,1W🔍 zoom

Tranzistor: P-MOSFET · TrenchFET® · unipolar · -20V · -89,6A · 42,1W

În stoc
18,71 RON / bucată
TVA inclus
15,46 RON / bucată (fără TVA)
Expediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
Subtip ambalaj
rolă / bandă
Polarizare
unipolar
Montare
SMD
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
P-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®
Curent de drena in impuls
-200A
Tensiune poarta sursa
±8V
+ încă 6 parametri în specificații →

Specificații Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® 20V - 89,6A - 42,1W

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip canalîmbogăţit
Tip tranzistorP-MOSFET
TehnologieTrenchFET®
Curent de drena in impuls-200A
Tensiune poarta sursa±8V
CarcasaPowerPAK® 1212-8
Tensiune drena sursa-20V
Curent drena-89,6A
Putere disipata42,1W
Rezistenta in timpul functionarii9,8mΩ
Incarcatura poarta231nC
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Întrebări despre acest produs

Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.

Produse asociate(9)

1 / 2