Tranzistor IGBT TO247-3

Descoperiți puterea și fiabilitatea tranzistorului IGBT TO247-3 de la Microchip, o soluție ideală pentru aplicații industriale și de putere. Proiectat cu o putere disipată impresionantă de 337W, acest tranzistor asigură performanțe de vârf în condiții de utilizare intense. Carcasa TO247-3 permite o montare THT simplă și eficientă, facilitând integrarea în diverse proiecte electronice.

Cu un curent de colector de 43A și un curent pulsat de 129A, tranzistorul IGBT se dovedește a fi extrem de versatil, iar tehnologia avansată Power MOS 8® garantează o funcționare optimizată. Tensiunea colector-emițător de 900V și tensiunea poartă-emițător de ±30V oferă un nivel excelent de protecție și stabilitate.

Inovația din spatele acestui produs include o diodă integrată anti-parallel, care îmbunătățește eficiența și reduce riscurile de avarie. Timpul de activare rapid de 28ns și timpul de dezactivare de 246ns asigură o reacție promptă a circuitelor, îmbunătățind performanța generală a sistemelor.

Alegeți tranzistorul IGBT TO247-3 de la Microchip pentru a beneficia de tehnologie de vârf, fiabilitate și eficiență maximă în aplicațiile dumneavoastră electrice.