Tranzistor N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 46A Idm: 100A 278W

Descoperiți puterea și fiabilitatea tranzistorului N-MOSFET SiC unipolar de la DIOTEC SEMICONDUCTOR, conceput să îndeplinească cele mai exigente cerințe ale domeniului auto. Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă de 46A, acest component oferă performanțe excepționale, având capacitatea de a gestiona impulsuri de curent de până la 100A.

Montat prin tehnologia THT și prezentat într-o carcasă robustă TO247-4, tranzistorul se dovedește a fi ideal pentru aplicații care necesită disipare semnificativă de putere, cu o capacitate de 278W. Datorită caracteristicilor sale avansate, cum ar fi terminalul Kelvin și rezistența de 65mΩ în timpul funcționării, acest N-MOSFET asigură eficiență ridicată și performanțe optime.

Cu o polarizare unipolară și o tensiune poartă-sursă variabilă între -4 și 18V, acest tranzistor este perfect pentru aplicații complexe în care precizia și controlul sunt esențiale. Încărcătura poartă de 121nC și canalul îmbogățit contribuie la o rezistență minimă și la o operare stabilă. Alegeți tranzistorul N-MOSFET SiC de la DIOTEC SEMICONDUCTOR pentru soluții de electronică de înaltă performanță și fiabilitate.