🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC / Z-FET™
- Tensiune drena sursa
- 1.2kV / 1,2kV
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- -10...25V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO247-3
Tranzistor: N-MOSFET · SiC · unipolar · 1,2kV · 60A · 330W · TO247-3 · 54ns
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
437,91 RON / bucată
TVA inclus
361,91 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC / Z-FET™
- Tensiune drena sursa
- 1.2kV / 1,2kV
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- -10...25V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO247-3
Specificații N-MOSFET SiC 1.2kV 60A TO247-3
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | Wolfspeed(CREE) | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC / Z-FET™ | |
| Tensiune drena sursa | 1.2kV / 1,2kV | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tensiune poarta sursa | -10...25V | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Carcasa | TO247-3 | |
| Putere disipata | 330W | |
| Incarcatura poarta | 115nC | |
| Curent drena | 60A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 40mΩ | |
| Timp de restabilire | 54ns |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere N-MOSFET SiC 1.2kV 60A TO247-3
N-MOSFET SiC 1.2kV
C2M0040120D este un N-MOSFET cu tehnologie SiC, polarizare unipolară și subtip canal îmbogățit, în carcasă TO247-3.
Componenta este specificată cu montare THT, tensiune drenă-sursă de 1,2kV, curent drenă de 60A și putere disipată de 330W.
- Tensiune poartă-sursă: -10...25V
- Încărcătură poartă: 115nC
- Rezistență în timpul funcționării: 40mΩ
- Timp de restabilire: 54ns
- Tehnologie: Z-FET™
Produs de Wolfspeed(CREE), acest tranzistor este încadrat în categoria Tranzistori canal N THT.
Documentație N-MOSFET SiC 1.2kV 60A TO247-3
Recenzii N-MOSFET SiC 1.2kV 60A TO247-3
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,15RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,48RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,28RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,77RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,78RON / bucTVA inclus