Tranzistor: P-MOSFET unipolar -30V -13,9A Idm: -60A 33W

Cod producător: SI7617DN-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: P-MOSFET unipolar -30V -13,9A Idm: -60A 33W🔍 zoom

Tranzistor: P-MOSFET · unipolar · -30V · -13,9A · Idm: -60A · 33W

În stoc
14,18 RON / bucată
TVA inclus
11,72 RON / bucată (fără TVA)
Expediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
Subtip ambalaj
rolă / bandă
Polarizare
unipolar
Montare
SMD
Subtip canal
îmbogăţit
Tensiune poarta sursa
±25V
Tip tranzistor
P-MOSFET
Putere disipata
33W
Incarcatura poarta
59nC
+ încă 5 parametri în specificații →

Specificații Tranzistor: P-MOSFET unipolar -30V -13,9A Idm: -60A 33W

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Subtip canalîmbogăţit
Tensiune poarta sursa±25V
Tip tranzistorP-MOSFET
Putere disipata33W
Incarcatura poarta59nC
Tensiune drena sursa-30V
Curent de drena in impuls-60A
CarcasaPowerPAK® 1212-8
Rezistenta in timpul functionarii12,3mΩ
Curent drena-13,9A
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Întrebări despre acest produs

Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.

Produse asociate(9)

1 / 2