🔍 zoomSpecificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă / bandă
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Carcasa
- SO8
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
- Incarcatura poarta
- 21nC
Tranzistor: P-MOSFET · unipolar · -30V · -7A · 1,6W · SO8
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
16,01 RON / bucată
TVA inclus
13,23 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă / bandă
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Carcasa
- SO8
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
- Incarcatura poarta
- 21nC
Specificații Tranzistor P-MOSFET -30V -7A SO8
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Subtip ambalaj | rolă / bandă | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Carcasa | SO8 | |
| Tip tranzistor | P-MOSFET | |
| Incarcatura poarta | 21nC | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 35mΩ | |
| Putere disipata | 1,6W | |
| Tehnologie | PowerTrench® | |
| Tensiune drena sursa | -30V | |
| Curent drena | -7A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor P-MOSFET -30V -7A SO8
Tranzistorul ONSEMI P-MOSFET unipolar -30V -7A 1,6W SO8 este un produs de înaltă calitate, fabricat de ONSEMI, cu un subtip de ambalaj în formă de rolă sau bandă, ideal pentru montare SMD. Cu o carcasă compactă SO8, acest tranzistor are o putere disipată de 1,6W, oferind o polarizare unipolară și o rezistență în timpul funcționării de 35mΩ.
Cu un curent de drenaj de -7A și o tensiune drenaj-sursă de -30V, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicațiile sale. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații. De asemenea, încărcătura poartă de 21nC îl face ideal pentru aplicații sensibile.
Acest tranzistor de tip P-MOSFET, fabricat cu tehnologia PowerTrench®, este soluția perfectă pentru proiectele tale electronice care necesită un component fiabil și eficient. Alege tranzistorul ONSEMI P-MOSFET pentru performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.
Cu un curent de drenaj de -7A și o tensiune drenaj-sursă de -30V, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicațiile sale. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații. De asemenea, încărcătura poartă de 21nC îl face ideal pentru aplicații sensibile.
Acest tranzistor de tip P-MOSFET, fabricat cu tehnologia PowerTrench®, este soluția perfectă pentru proiectele tale electronice care necesită un component fiabil și eficient. Alege tranzistorul ONSEMI P-MOSFET pentru performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.
Documentație Tranzistor P-MOSFET -30V -7A SO8
Recenzii Tranzistor P-MOSFET -30V -7A SO8
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(10)
1 / 2
În stoc
Fără imagine

BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

FISCHER ELEKTRONIKFK 251 10 LF PAK
Radiator Cupru SMT 13x15x10mm 24K/W
9,61RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

STATICTECSTST100201
Unealtă pentru îmbinare benzi SMD STATICTEC
1.115,81RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

PIERGIACOMI5 SA ESD
Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD
88,50RON / bucTVA inclus