Tranzistor N-MOSFET 60V 350mA 1W TO92
Cod producător: VN0106N3-G
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Subtip ambalaj
- în vrac
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune drena sursa
- 60V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Rezistenta in timpul functionarii
- 3Ω
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 60V · 350mA · Idm: 2A · 1W · TO92
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
8,40 RON / bucată
TVA inclus
6,94 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Subtip ambalaj
- în vrac
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune drena sursa
- 60V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Rezistenta in timpul functionarii
- 3Ω
Specificații Tranzistor N-MOSFET 60V 350mA 1W TO92
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | Microchip | |
| Montare | THT | |
| Subtip ambalaj | în vrac | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune drena sursa | 60V | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 3Ω | |
| Carcasa | TO92 | |
| Putere disipata | 1W | |
| Curent de drena in impuls | 2A | |
| Curent drena | 0,35A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET 60V 350mA 1W TO92
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 350mA Idm: 2A 1W TO92 de la MICROCHIP TECHNOLOGY este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, perfect pentru aplicațiile tale de electronică. Acest tranzistor impresionează cu caracteristicile sale de top, fiind un produs de încredere și durabil.
Producător: MICROCHIP TECHNOLOGY
Subtip ambalaj: în vrac
Montare: THT
Carcasă: TO92
Putere disipată: 1W
Curent de drenă în impuls: 2A
Polarizare: unipolar
Curent drenă: 0,35A
Tensiune drenă-sursă: 60V
Tensiune poartă-sursă: ±20V
Rezistență în timpul funcționării: 3Ω
Subtip canal: îmbogățit
Tip tranzistor: N-MOSFET
Cu o rezistență în timpul funcționării de 3Ω și un curent de drenă de 0,35A, acest tranzistor este ideal pentru o varietate de aplicații. Carcasa TO92 îl face ușor de montat și integrat în proiectele tale. Cu o putere disipată de 1W, acest tranzistor se remarcă prin eficiența sa în transformarea energiei. Optează pentru Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 350mA Idm: 2A 1W TO92 de la MICROCHIP TECHNOLOGY pentru performanțe superioare în proiectele tale electronice.
Producător: MICROCHIP TECHNOLOGY
Subtip ambalaj: în vrac
Montare: THT
Carcasă: TO92
Putere disipată: 1W
Curent de drenă în impuls: 2A
Polarizare: unipolar
Curent drenă: 0,35A
Tensiune drenă-sursă: 60V
Tensiune poartă-sursă: ±20V
Rezistență în timpul funcționării: 3Ω
Subtip canal: îmbogățit
Tip tranzistor: N-MOSFET
Cu o rezistență în timpul funcționării de 3Ω și un curent de drenă de 0,35A, acest tranzistor este ideal pentru o varietate de aplicații. Carcasa TO92 îl face ușor de montat și integrat în proiectele tale. Cu o putere disipată de 1W, acest tranzistor se remarcă prin eficiența sa în transformarea energiei. Optează pentru Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 350mA Idm: 2A 1W TO92 de la MICROCHIP TECHNOLOGY pentru performanțe superioare în proiectele tale electronice.
Documentație Tranzistor N-MOSFET 60V 350mA 1W TO92
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 60V 350mA 1W TO92
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(3)
În stoc
Fără imagine
ALUTRONICFI321/SE
Radiator extrudat negru 46mm x 46mm
22,37RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-162/SW
Radiator Extrudat Negru 18mm x 25.4mm
6,99RON / bucTVA inclus
Lipsă stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-155/3/9/32/66/SW
Radiator extrudat U TO3 TO32 TO66 TO9 negru 41,3mm x 33mm
24,24RON / bucTVA inclus