🔍 zoomSpecificații cheie
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Curent drena
- 30A
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune drena sursa
- 100V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Putere disipata
- 21W
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 100V · 30A · 21W · DFN3.3x3.3
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
10,09 RON / bucată
TVA inclus
8,34 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Curent drena
- 30A
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune drena sursa
- 100V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Putere disipata
- 21W
Specificații N-MOSFET 100V 30A 21W DFN3.3x3.3 Tranzistor
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Curent drena | 30A | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune drena sursa | 100V | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Putere disipata | 21W | |
| Incarcatura poarta | 13nC | |
| Carcasa | DFN3.3x3.3 | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 11,5mΩ |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere N-MOSFET 100V 30A 21W DFN3.3x3.3 Tranzistor
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 30A 21W DFN3.3x3.3 de la ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Acest tranzistor se remarcă prin montarea sa de tip SMD, în carcasă DFN3.3x3.3, oferind o putere disipată de 21W și o polarizare unipolară.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 11,5mΩ, acest tranzistor asigură o conducere eficientă a curentului drenă de până la 30A. Tensiunea drenă-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit utilizarea sa într-o varietate de aplicații cu cerințe diferite.
Subtipul de canal îmbogățit și încărcătura poartă de 13nC fac din acest tranzistor N-MOSFET un component versatil, potrivit pentru diverse scenarii de utilizare. Alegeți performanță și fiabilitate cu tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 30A 21W DFN3.3x3.3 de la ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 11,5mΩ, acest tranzistor asigură o conducere eficientă a curentului drenă de până la 30A. Tensiunea drenă-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit utilizarea sa într-o varietate de aplicații cu cerințe diferite.
Subtipul de canal îmbogățit și încărcătura poartă de 13nC fac din acest tranzistor N-MOSFET un component versatil, potrivit pentru diverse scenarii de utilizare. Alegeți performanță și fiabilitate cu tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 30A 21W DFN3.3x3.3 de la ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR.
Documentație N-MOSFET 100V 30A 21W DFN3.3x3.3 Tranzistor
Recenzii N-MOSFET 100V 30A 21W DFN3.3x3.3 Tranzistor
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(7)
1 / 2
În stoc
Fără imagine

BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

PIERGIACOMI5 SA ESD
Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD
88,50RON / bucTVA inclus
Lipsă stocFără imagine

BERNSTEIN5-060
Kit pensete SMD ESD cu etui, rezistent
856,35RON / bucTVA inclus
Lipsă stocFără imagine

BERNSTEIN5-078-13
Pensetă nemagnetică cu vârf ascuțit ESD 16g
121,45RON / bucTVA inclus