🔍 zoomSpecificații cheie
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Rezistenta in timpul functionarii
- 11mΩ
- Carcasa
- SO8
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
- Incarcatura poarta
- 63nC
Tranzistor: P-MOSFET · unipolar · -38V · -11A · 2W · SO8
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
7,05 RON / bucată
TVA inclus
5,83 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Rezistenta in timpul functionarii
- 11mΩ
- Carcasa
- SO8
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
- Incarcatura poarta
- 63nC
Specificații P-MOSFET Tranzistor -38V -11A 2W SO8
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 11mΩ | |
| Carcasa | SO8 | |
| Tip tranzistor | P-MOSFET | |
| Incarcatura poarta | 63nC | |
| Putere disipata | 2W | |
| Curent drena | -11A | |
| Tensiune drena sursa | -38V |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere P-MOSFET Tranzistor -38V -11A 2W SO8
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -38V -11A 2W SO8, marca ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, este un dispozitiv electronic de ultimă generație cu caracteristici impresionante. Acest tranzistor se remarcă prin producătorul său de încredere, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, care garantează calitatea și performanța superioară a produsului. Cu o montare SMD și o carcasă SO8, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse aplicații electronice.
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -38V -11A 2W SO8 are o putere disipată de 2W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor oferă o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de mediu. Cu un curent de drenaj de -11A și o tensiune drenaj-sursă de -38V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative.
Tensiunea poartă-sursă de ±25V asigură o comunicare eficientă între tranzistor și circuitul de comandă, în timp ce rezistența în timpul funcționării de 11mΩ minimizează pierderile de putere și îmbunătățește eficiența sistemului. Subtipul de canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 63nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații cu cerințe specifice.
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -38V -11A 2W SO8 este un dispozitiv de înaltă performanță, potrivit pentru diverse aplicații electronice care necesită o funcționare fiabilă și eficientă. Cu o combinație de caracteristici superioare și un design compact, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele electronice de ultimă generație.
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -38V -11A 2W SO8 are o putere disipată de 2W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor oferă o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de mediu. Cu un curent de drenaj de -11A și o tensiune drenaj-sursă de -38V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative.
Tensiunea poartă-sursă de ±25V asigură o comunicare eficientă între tranzistor și circuitul de comandă, în timp ce rezistența în timpul funcționării de 11mΩ minimizează pierderile de putere și îmbunătățește eficiența sistemului. Subtipul de canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 63nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații cu cerințe specifice.
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -38V -11A 2W SO8 este un dispozitiv de înaltă performanță, potrivit pentru diverse aplicații electronice care necesită o funcționare fiabilă și eficientă. Cu o combinație de caracteristici superioare și un design compact, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele electronice de ultimă generație.
Documentație P-MOSFET Tranzistor -38V -11A 2W SO8
Recenzii P-MOSFET Tranzistor -38V -11A 2W SO8
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(8)
1 / 2
În stoc
Fără imagine

BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

FISCHER ELEKTRONIKFK 251 10 LF PAK
Radiator Cupru SMT 13x15x10mm 24K/W
9,61RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

PIERGIACOMI5 SA ESD
Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD
88,50RON / bucTVA inclus
Lipsă stocFără imagine

BERNSTEIN5-060
Kit pensete SMD ESD cu etui, rezistent
856,35RON / bucTVA inclus