🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO247-3
- Tensiune drena sursa
- 1,2kV
Tranzistor: N-MOSFET · WMOS™ D1 · unipolar · 1,2kV · 3A · Idm: 12A
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
16,38 RON / bucată
TVA inclus
13,54 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO247-3
- Tensiune drena sursa
- 1,2kV
Specificații Tranzistor N-MOSFET 1,2kV 3A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | Wayo | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tensiune poarta sursa | ±30V | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Carcasa | TO247-3 | |
| Tensiune drena sursa | 1,2kV | |
| Curent drena | 3A | |
| Tehnologie | WMOS™ D1 | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 6,3Ω | |
| Curent de drena in impuls | 12A | |
| Putere disipata | 156,2W | |
| Incarcatura poarta | 22,2nC |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET 1,2kV 3A
Tranzistorul N-MOSFET WAYON WMOS™ D1 unipolar 1,2kV 3A Idm: 12A este un produs de încredere, fabricat de către WAYON, lider în industria electronică. Acest tranzistor este ambalat în tub, cu montare THT și carcasă TO247-3, oferind o putere disipată impresionantă de 156,2W. Cu un curent de drenă în impuls de 12A, acesta este ideal pentru aplicații care necesită o polarizare unipolară. Curentul de drenă de 3A și tensiunea drenă-sursă de 1,2kV asigură performanțe excelente în diverse configurații. Rezistența în timpul funcționării de 6,3Ω și subtipul de canal îmbogățit fac acest tranzistor potrivit pentru sarcini exigente. Cu o încărcătură de poartă de 22,2nC, acest N-MOSFET este un alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră. Cu tehnologia inovatoare WMOS™ D1, acest tranzistor reprezintă soluția perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Documentație Tranzistor N-MOSFET 1,2kV 3A
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 1,2kV 3A
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,33RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,83RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,84RON / bucTVA inclus