🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 800V
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 800V · 2,7A · 110W · TO220-3
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
24,83 RON / bucată
TVA inclus
20,52 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 800V
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
Specificații Tranzistor N-MOSFET 800V 2.7A 110W TO220-3
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tensiune poarta sursa | ±30V | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 800V | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tehnologie | PowerMesh™ | |
| Carcasa | TO220-3 | |
| Putere disipata | 110W | |
| Curent drena | 2,7A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 2,4Ω |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET 800V 2.7A 110W TO220-3
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la STMicroelectronics este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o putere de disipare de până la 110W. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 800V și un curent de drenă de 2,7A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Cu o rezistență în timpul funcționării de 2,4Ω și tehnologia PowerMesh™, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor este protejat împotriva electrostatică și are o tensiune poartă-sursă de ±30V. Montarea se face prin intermediul tehnologiei THT, iar carcasa TO220-3 oferă o soluție robustă și eficientă din punct de vedere termic. Subtipul de canal îmbogățit și caracteristicile elementelor semiconductoare ESD protejate fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile dumneavoastră de putere.
Documentație Tranzistor N-MOSFET 800V 2.7A 110W TO220-3
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 800V 2.7A 110W TO220-3
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare TO220
258,59RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/SW
Radiator extrudat cu aripioare TO220 negru
266,82RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-208/1000/M
Radiator extrudat TO220, natural, 1m
202,08RON / bucTVA inclus