P-MOSFET Tranzistor -40V -11A SO8
Cod producător: FDS4675
🔍 zoomSpecificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă / bandă
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Carcasa
- SO8
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
- Rezistenta in timpul functionarii
- 21mΩ
Tranzistor: P-MOSFET · unipolar · -40V · -11A · 2,4W · SO8
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
17,73 RON / bucată
TVA inclus
14,65 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă / bandă
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Carcasa
- SO8
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
- Rezistenta in timpul functionarii
- 21mΩ
Specificații P-MOSFET Tranzistor -40V -11A SO8
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Subtip ambalaj | rolă / bandă | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Carcasa | SO8 | |
| Tip tranzistor | P-MOSFET | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 21mΩ | |
| Incarcatura poarta | 56nC | |
| Putere disipata | 2,4W | |
| Tehnologie | PowerTrench® | |
| Tensiune drena sursa | -40V | |
| Curent drena | -11A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere P-MOSFET Tranzistor -40V -11A SO8
Tranzistorul ONSEMI P-MOSFET unipolar -40V -11A 2,4W SO8 este un component electronic de înaltă performanță, fabricat de către ONSEMI. Acesta este disponibil în ambalaj sub formă de rolă sau bandă, fiind ideal pentru montare SMD. Carcasa SO8 oferă o protecție solidă și durabilă.
Cu o putere disipată de 2,4W, acest tranzistor are o polarizare unipolară și poate suporta un curent de drenaj de până la -11A. Tensiunea drenaj-sursă este de -40V, în timp ce tensiunea poartă-sursă este de ±20V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 21mΩ, acest tranzistor este extrem de eficient din punct de vedere energetic.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 56nC. Acest tranzistor este de tip P-MOSFET și utilizează tehnologia PowerTrench®, oferind performanțe superioare și fiabilitate în diverse aplicații electronice.
Cu o putere disipată de 2,4W, acest tranzistor are o polarizare unipolară și poate suporta un curent de drenaj de până la -11A. Tensiunea drenaj-sursă este de -40V, în timp ce tensiunea poartă-sursă este de ±20V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 21mΩ, acest tranzistor este extrem de eficient din punct de vedere energetic.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 56nC. Acest tranzistor este de tip P-MOSFET și utilizează tehnologia PowerTrench®, oferind performanțe superioare și fiabilitate în diverse aplicații electronice.
Documentație P-MOSFET Tranzistor -40V -11A SO8
Recenzii P-MOSFET Tranzistor -40V -11A SO8
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(10)
1 / 2
În stoc
Fără imagine
BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKFK 251 10 LF PAK
Radiator Cupru SMT 13x15x10mm 24K/W
9,61RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
STATICTECSTST100201
Unealtă pentru îmbinare benzi SMD STATICTEC
1.115,81RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
PIERGIACOMI5 SA ESD
Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD
88,50RON / bucTVA inclus