Tranzistor N-MOSFET 600V 10A 85W

Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar de la SHINDENGEN este un produs de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface nevoile celor mai exigente aplicații în domeniul electronicelor. Acest tranzistor este disponibil într-un subtip de ambalaj în vrac și poate fi montat prin tehnologia Through-Hole (THT). Carcasa FTO-220AG (SC91) oferă o excelentă dispersie a căldurii, permițând o putere disipată de până la 85W.

Cu o tensiune de drenaj-sursă de 600V și un curent de drenaj în impuls de 40A, acest tranzistor asigură o performanță fiabilă și constantă. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 10A îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații, iar tensiunea drenaj-sursă de ±30V asigură o funcționare sigură și eficientă.

Cu o rezistență de funcționare de 0,8Ω, acest tranzistor N-MOSFET are un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 23nC. Tehnologia Hi-PotMOS2 îl face potrivit pentru aplicații care necesită performanță și fiabilitate de înaltă calitate. Alegeți tranzistorul N-MOSFET de la SHINDENGEN pentru soluții electronice superioare.