Driver MOSFET High-Side SO8
Cod producător: NCP81080DR2G
🔍 zoomSpecificații cheie
- Topologie
- semipunte MOSFET
- Montare
- SMD
- Tip circuit integrat
- driver
- Carcasa
- SO8
- Subtip circuit integrat
- controler porţi / high-side
- Temperatura de lucru
- -40...140°C
- Timpul de crestere a impulsului
- 19ns
- Tensiune alimentare
- 5,5...20V DC
IC: driver · semipunte MOSFET · high-side,controler porţi · SO8
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
11,42 RON / bucată
TVA inclus
9,44 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Topologie
- semipunte MOSFET
- Montare
- SMD
- Tip circuit integrat
- driver
- Carcasa
- SO8
- Subtip circuit integrat
- controler porţi / high-side
- Temperatura de lucru
- -40...140°C
- Timpul de crestere a impulsului
- 19ns
- Tensiune alimentare
- 5,5...20V DC
Specificații Driver MOSFET High-Side SO8
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Topologie | semipunte MOSFET | |
| Montare | SMD | |
| Tip circuit integrat | driver | |
| Carcasa | SO8 | |
| Subtip circuit integrat | controler porţi / high-side | |
| Temperatura de lucru | -40...140°C | |
| Timpul de crestere a impulsului | 19ns | |
| Tensiune alimentare | 5,5...20V DC | |
| Timp cadere impuls | 17ns | |
| Curent iesire | -800...500mA |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Driver MOSFET High-Side SO8
Driver MOSFET High-Side SO8
NCP81080DR2G este un driver pentru circuite MOSFET, în carcasă SO8, cu montare SMD și topologie semipunte MOSFET.
Produsul este un controler de porți high-side, destinat utilizării în aplicații care folosesc alimentare în intervalul 5,5...20V DC și funcționează la temperaturi de -40...140°C.
- Topologie: semipunte MOSFET
- Carcasă: SO8
- Montare: SMD
- Curent ieșire: -800...500mA
- Timp creștere impuls: 19ns
Parametrul de timp cădere impuls este de 17ns.
Documentație Driver MOSFET High-Side SO8
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Driver MOSFET High-Side SO8
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(31)
1 / 6
În stoc
Fără imagine
BESTBEST-939
Extractor cu vacuum SMD 155mm
116,16RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
IDEAL-TEKP-830
Extractor cu vacuum pentru SMD
151,55RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
MS-DIP/SMD3
Placă prototip universală 100x160mm, față simplă
132,08RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
POMONA5250
Clips de măsurare albastru aurit 1,27mm
182,73RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
ROTH ELEKTRONIK GMBHRE932
Placă universală multiadaptor SO8/SO16
165,26RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
ERSA0SVP100
Extractor vacuum SMD ESD 14mm
536,13RON / bucTVA inclus