Tranzistor IGBT SiC 650V 50A TO247-3
Cod producător: BGH50N65HS1
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Tehnologie
- Trench / Field Stop / SiC SBD
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Caracteristici elemente semiconductoare
- integrated anti-parallel diode
- Curent de colector pulsat
- 200A
- Carcasa
- TO247-3
Tranzistor: IGBT · SiC SBD · 650V · 50A · 357W · TO247-3
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
98,66 RON / bucată
TVA inclus
81,54 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Tehnologie
- Trench / Field Stop / SiC SBD
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Caracteristici elemente semiconductoare
- integrated anti-parallel diode
- Curent de colector pulsat
- 200A
- Carcasa
- TO247-3
Specificații Tranzistor IGBT SiC 650V 50A TO247-3
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | BASiC SEMICONDUCTOR | |
| Montare | THT | |
| Tehnologie | Trench / Field Stop / SiC SBD | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | integrated anti-parallel diode | |
| Curent de colector pulsat | 200A | |
| Carcasa | TO247-3 | |
| Curent de colector | 50A | |
| Putere disipata | 357W | |
| Tensiune colector emitator | 650V | |
| Incarcatura poarta | 308nC | |
| Timp activare | 54ns | |
| Timp dezactivare | 256ns |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor IGBT SiC 650V 50A TO247-3
Tranzistor IGBT SiC 650V 50A
BGH50N65HS1 este un tranzistor IGBT THT de la BASiC SEMICONDUCTOR, în carcasă TO247-3, cu tensiune colector-emiţător de 650V și curent de colector de 50A.
Este specificat cu tehnologie Trench, Field Stop și SiC SBD, având încărcătură poartă de 308nC și tensiune poartă-emitor de ±20V.
- Montare: THT
- Carcasă: TO247-3
- Curent de colector pulsat: 200A
- Putere disipată: 357W
- Timp activare: 54ns
- Timp dezactivare: 256ns
- Caracteristică: integrated anti-parallel diode
Produsul este livrat în subtip ambalaj tub.
Documentație Tranzistor IGBT SiC 650V 50A TO247-3
Recenzii Tranzistor IGBT SiC 650V 50A TO247-3
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,33RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,83RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,84RON / bucTVA inclus