
Tranzistor N-MOSFET 800V 1.8A 62.5W
Cod producător: SIHD2N80AE-GE3
Producător:
12,50 RON
TVA inclus
10,33 RON (fără TVA)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,8A; Idm: 3,6A; 62,5W
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | VISHAY | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Tensiune-poarta-sursa | ±30V | |
| Subtip-canal | îmbogăţit | |
| Tensiune-drena-sursa | 800V | |
| Caracteristici-elemente-semiconductoare | ESD protected gate | |
| Tip-tranzistor | N-MOSFET | |
| Incarcatura-poarta | 10,5nC | |
| Rezistenta-in-timpul-functionarii | 2,5Ω | |
| Carcasa | TO252 / DPAK | |
| Putere-disipata | 62,5W | |
| Curent-drena | 1,8A | |
| Curent-de-drena-in-impuls | 3,6A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Produse asociate(16)
1 / 3
Lipsă stoc
Fără imagine

BERNSTEIN
Kit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
804,32RONTVA inclus
În stocFără imagine

BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
176,81RONTVA inclus
Stoc: 4Fără imagine

BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
174,99RONTVA inclus
Lipsă stocFără imagine

BERNSTEIN
Pensetă vârfuri îndoite 35° SMD
132,48RONTVA inclus
Lipsă stocFără imagine

OHMITE
Radiator Extrudat Negru 12.7mm x 26mm
31,56RONTVA inclus
Lipsă stocFără imagine

OHMITE
Radiator Extrudat Negru 12.7mm x 25.91mm
21,62RONTVA inclus