P-MOSFET -30V 100A 125W PG-TDSON-8
Cod producător: BSC030P03NS3GAUMA1
🔍 zoomSpecificații cheie
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
- Putere disipata
- 125W
- Rezistenta in timpul functionarii
- 3mΩ
- Tensiune drena sursa
- -30V
Tranzistor: P-MOSFET · unipolar · -30V · -100A · 125W · PG-TDSON-8
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
29,62 RON / bucată
TVA inclus
24,48 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
- Putere disipata
- 125W
- Rezistenta in timpul functionarii
- 3mΩ
- Tensiune drena sursa
- -30V
Specificații P-MOSFET -30V 100A 125W PG-TDSON-8
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | INFINEON TECHNOLOGIES | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Tip tranzistor | P-MOSFET | |
| Putere disipata | 125W | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 3mΩ | |
| Tensiune drena sursa | -30V | |
| Carcasa | PG-TDSON-8 | |
| Tehnologie | OptiMOS™ P3 | |
| Curent drena | -100A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere P-MOSFET -30V 100A 125W PG-TDSON-8
P-MOSFET -30V
BSC030P03NS3GAUMA1 este un tranzistor P-MOSFET SMD de la INFINEON TECHNOLOGIES, cu polarizare unipolară și subtip canal îmbogățit. Este încadrat în categoria Tranzistori canal P SMD.
Dispune de tensiune drenă-sursă de -30V, curent drenă de -100A și putere disipată de 125W. Rezistența în timpul funcționării este de 3mΩ, iar tensiunea poartă-sursă este ±25V.
- Tip tranzistor: P-MOSFET
- Montare: SMD
- Carcasă: PG-TDSON-8
- Tehnologie: OptiMOS™ P3
- Curent drenă: -100A
Produsul este oferit în carcasa PG-TDSON-8 și folosește tehnologia OptiMOS™ P3.
Documentație P-MOSFET -30V 100A 125W PG-TDSON-8
Recenzii P-MOSFET -30V 100A 125W PG-TDSON-8
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(6)
În stoc
Fără imagine
BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
PIERGIACOMI5 SA ESD
Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD
88,50RON / bucTVA inclus
Lipsă stocFără imagine
BERNSTEIN5-060
Kit pensete SMD ESD cu etui, rezistent
856,35RON / bucTVA inclus
Lipsă stocFără imagine
BERNSTEIN5-078-13
Pensetă nemagnetică cu vârf ascuțit ESD 16g
121,45RON / bucTVA inclus