Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A
Cod producător: B1M080120HK
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Tensiune drena sursa
- 1.2kV / 1,2kV
- Tensiune poarta sursa
- -5...20V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin
Tranzistor: N-MOSFET · SiC · unipolar · 1,2kV · 27A · Idm: 80A · 241W
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
174,74 RON / bucată
TVA inclus
144,41 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Tensiune drena sursa
- 1.2kV / 1,2kV
- Tensiune poarta sursa
- -5...20V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin
Specificații Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | BASiC SEMICONDUCTOR | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC | |
| Tensiune drena sursa | 1.2kV / 1,2kV | |
| Tensiune poarta sursa | -5...20V | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | terminal Kelvin | |
| Carcasa | TO247-4 | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 80mΩ | |
| Curent drena | 27A | |
| Curent de drena in impuls | 80A | |
| Putere disipata | 241W | |
| Incarcatura poarta | 149nC |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV
B1M080120HK este un tranzistor N-MOSFET cu tehnologie SiC, pentru montare THT, în carcasă TO247-4. Este un component cu polarizare unipolară și subtip canal îmbogăţit.
- Tensiune drenă-sursă: 1,2kV
- Curent drenă: 27A
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 80mΩ
- Curent de drenă în impuls: 80A
- Încărcătură poartă: 149nC
Specificaţiile includ tensiune poartă-sursă de -5...20V, putere disipată de 241W şi terminal Kelvin. Subtipul ambalaj este tub.
Documentație Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A
Recenzii Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,06RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,32RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,35RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,27RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,75RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,78RON / bucTVA inclus