Tranzistor N-MOSFET 1000V 2,2A
Cod producător: STF5NK100Z
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tensiune drena sursa
- 1kV
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
Tranzistor: N-MOSFET · SuperMESH3™ · unipolar · 1000V · 2,2A · 30W
Lipsă stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
44,54 RON / bucată
TVA inclus
36,81 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tensiune drena sursa
- 1kV
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
Specificații Tranzistor N-MOSFET 1000V 2,2A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tensiune poarta sursa | ±30V | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate | |
| Tensiune drena sursa | 1kV | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Carcasa | TO220FP | |
| Putere disipata | 30W | |
| Tehnologie | SuperMESH3™ | |
| Curent drena | 2,2A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 3,7Ω |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET 1000V 2,2A
Tranzistor N-MOSFET cu tensiune drenă-sursă 1kV
STF5NK100Z este un tranzistor N-MOSFET cu montare THT, în carcasă TO220FP, realizat de STMicroelectronics. Este un dispozitiv unipolar, cu subtip canal îmbogăţit.
Produsul este specificat cu tehnologia SuperMESH3™, tensiune poartă-sursă ±30V, curent drenă 2,2A şi putere disipată 30W.
- Tensiune drenă-sursă: 1kV
- Curent drenă: 2,2A
- Putere disipată: 30W
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 3,7Ω
- Caracteristici elemente semiconductoare: ESD protected gate
Documentație Tranzistor N-MOSFET 1000V 2,2A
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 1000V 2,2A
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare TO220
258,59RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/SW
Radiator extrudat cu aripioare TO220 negru
266,82RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-208/1000/M
Radiator extrudat TO220, natural, 1m
202,08RON / bucTVA inclus