Driver semipunte IGBT/MOSFET SO8
Cod producător: NCP5181DR2G
🔍 zoomSpecificații cheie
- Numar canale
- 2
- Protectie
- la subtensiune UVP
- Subtip ambalaj
- rolă / bandă
- Topologie
- semipunte MOSFET / semipunte IGBT
- Montare
- SMD
- Temperatura de lucru
- -40...125°C
- Tip circuit integrat
- driver
- Carcasa
- SO8
IC: driver · semipunte IGBT,semipunte MOSFET · SO8 · -2,2÷1,4A · Ch: 2
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
15,03 RON / bucată
TVA inclus
12,42 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Numar canale
- 2
- Protectie
- la subtensiune UVP
- Subtip ambalaj
- rolă / bandă
- Topologie
- semipunte MOSFET / semipunte IGBT
- Montare
- SMD
- Temperatura de lucru
- -40...125°C
- Tip circuit integrat
- driver
- Carcasa
- SO8
Specificații Driver semipunte IGBT/MOSFET SO8
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Numar canale | 2 | |
| Protectie | la subtensiune UVP | |
| Subtip ambalaj | rolă / bandă | |
| Topologie | semipunte MOSFET / semipunte IGBT | |
| Montare | SMD | |
| Temperatura de lucru | -40...125°C | |
| Tip circuit integrat | driver | |
| Carcasa | SO8 | |
| Clasa de tensiune | 600V | |
| Subtip circuit integrat | controler porţi / high-/low-side | |
| Tensiune alimentare | 10...20V DC | |
| Timpul de crestere a impulsului | 60ns | |
| Timp cadere impuls | 40ns | |
| Curent iesire | -2,2...1,4A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Driver semipunte IGBT/MOSFET SO8
Driver semipunte cu 2 canale
NCP5181DR2G este un driver de tip controler porți, pentru topologie semipunte MOSFET și semipunte IGBT, în carcasă SO8, cu montare SMD.
- 2 canale
- Protecție la subtensiune UVP
- Clasa de tensiune: 600V
- Tensiune alimentare: 10...20V DC
- Temperatura de lucru: -40...125°C
Dispune de subtip high-/low-side și este specificat cu curent ieșire -2,2...1,4A, timp de creștere a impulsului 60ns și timp de cădere a impulsului 40ns.
Documentație Driver semipunte IGBT/MOSFET SO8
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Driver semipunte IGBT/MOSFET SO8
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(33)
1 / 6
În stoc
Fără imagine
BESTBEST-939
Extractor cu vacuum SMD 155mm
116,16RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
IDEAL-TEKP-830
Extractor cu vacuum pentru SMD
151,55RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
MS-DIP/SMD3
Placă prototip universală 100x160mm, față simplă
132,08RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
POMONA5250
Clips de măsurare albastru aurit 1,27mm
182,73RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
ROTH ELEKTRONIK GMBHRE932
Placă universală multiadaptor SO8/SO16
165,26RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
ERSA0SVP100
Extractor vacuum SMD ESD 14mm
536,13RON / bucTVA inclus