Driver MOSFET/IGBT low-side 2 canale SO8
Cod producător: TPS2812D
🔍 zoomSpecificații cheie
- Numar canale
- 2
- Montare
- SMD
- Temperatura de lucru
- -40...125°C
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip circuit integrat
- driver
- Tensiune intrare
- 8...40V
- Carcasa
- SO8
- Subtip circuit integrat
- controler porţi / low-side
IC: driver · low-side,controler porţi · SO8 · -2÷2A · 180mV÷9,9V · Ch: 2
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
29,73 RON / bucată
TVA inclus
24,57 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Numar canale
- 2
- Montare
- SMD
- Temperatura de lucru
- -40...125°C
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip circuit integrat
- driver
- Tensiune intrare
- 8...40V
- Carcasa
- SO8
- Subtip circuit integrat
- controler porţi / low-side
Specificații Driver MOSFET/IGBT low-side 2 canale SO8
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | TEXAS INSTRUMENTS | |
| Numar canale | 2 | |
| Montare | SMD | |
| Temperatura de lucru | -40...125°C | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip circuit integrat | driver | |
| Tensiune intrare | 8...40V | |
| Carcasa | SO8 | |
| Subtip circuit integrat | controler porţi / low-side | |
| Curent iesire | -2...2A | |
| Subtip iesirii | neinversor | |
| Timp cadere impuls | 15ns | |
| Tensiune alimentare | 4...14V DC | |
| Timpul de crestere a impulsului | 14ns | |
| Tensiune iesire | 180mV...9,9V |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Driver MOSFET/IGBT low-side 2 canale SO8
Driver MOSFET/IGBT low-side cu 2 canale
TPS2812D este un controler de porți low-side cu 2 canale, în carcasă SO8, pentru montare SMD. Este un circuit integrat de tip driver, cu ieșire neinversoare.
- Număr canale: 2
- Subtip circuit integrat: low-side
- Curent ieșire: -2...2A
- Tensiune intrare: 8...40V
- Temperatura de lucru: -40...125°C
Dispozitivul are timp de cădere a impulsului de 15ns și timp de creștere a impulsului de 14ns. Tensiunea de alimentare este 4...14V DC, iar tensiunea de ieșire este 180mV...9,9V.
Ambalarea este de tip tub, conform datelor produsului.
Documentație Driver MOSFET/IGBT low-side 2 canale SO8
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Driver MOSFET/IGBT low-side 2 canale SO8
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(31)
1 / 6
În stoc
Fără imagine
BESTBEST-939
Extractor cu vacuum SMD 155mm
116,16RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
IDEAL-TEKP-830
Extractor cu vacuum pentru SMD
151,55RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
MS-DIP/SMD3
Placă prototip universală 100x160mm, față simplă
132,08RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
POMONA5250
Clips de măsurare albastru aurit 1,27mm
182,73RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
ROTH ELEKTRONIK GMBHRE932
Placă universală multiadaptor SO8/SO16
165,26RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
ERSA0SVP100
Extractor vacuum SMD ESD 14mm
536,13RON / bucTVA inclus