Tranzistor N-MOSFET 950V 8.6A DPAK
Cod producător: IPD95R450P7ATMA1Cod produs: IPD95R450P7
🔍 zoomSpecificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Incarcatura poarta
- 35nC
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 950V · 8,6A · 104W · DPAK
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
28,21 RON / bucată
TVA inclus
23,31 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Subtip ambalaj
- rolă
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Incarcatura poarta
- 35nC
Specificații Tranzistor N-MOSFET 950V 8.6A DPAK
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | INFINEON TECHNOLOGIES | |
| Subtip ambalaj | rolă | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Incarcatura poarta | 35nC | |
| Tehnologie | CoolMOS™ P7 | |
| Putere disipata | 104W | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,45Ω | |
| Tensiune drena sursa | 950V | |
| Carcasa | DPAK | |
| Curent drena | 8,6A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET 950V 8.6A DPAK
Tranzistor N-MOSFET 950V DPAK
IPD95R450P7ATMA1 / IPD95R450P7 este un tranzistor N-MOSFET cu montare SMD, realizat pentru integrare în aplicații electronice care folosesc o carcasă DPAK. Produsul face parte din tehnologia CoolMOS™ P7.
Specificațiile declarate includ tensiune drenă-sursă de 950V, curent drenă de 8,6A și putere disipată de 104W.
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Polarizare: unipolar
- Subtip canal: îmbogăţit
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
- Încărcătură poartă: 35nC
Este indicat cu rezistenţă în timpul funcţionării de 0,45Ω și caracteristică ESD protected gate.
Documentație Tranzistor N-MOSFET 950V 8.6A DPAK
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 950V 8.6A DPAK
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(10)
1 / 2
În stoc
Fără imagine
BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKFK 244 13 D PAK
Radiator presat TO252 cupru 25K/W
11,89RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKFK 251 10 LF PAK
Radiator Cupru SMT 13x15x10mm 24K/W
9,61RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKFK24408DPAK
Radiator presat cupru TO252 8x23x10mm 31,5K/W
12,00RON / bucTVA inclus