N-MOSFET 800V 10,6A TO220FP
Cod producător: IPAN80R280P7XKSA1Cod produs: IPAN80R280P7
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 800V
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 800V · 10,6A · 30W · TO220FP
Lipsă stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
41,06 RON / bucată
TVA inclus
33,93 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 800V
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
Specificații N-MOSFET 800V 10,6A TO220FP
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | INFINEON TECHNOLOGIES | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 800V | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Carcasa | TO220FP | |
| Tehnologie | CoolMOS™ P7 | |
| Putere disipata | 30W | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,28Ω | |
| Incarcatura poarta | 36nC | |
| Curent drena | 10,6A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere N-MOSFET 800V 10,6A TO220FP
N-MOSFET 800V, 10,6A
N-MOSFET unipolar cu subtip canal îmbogăţit, pentru montare THT, în carcasă TO220FP. Produsul este disponibil sub codul IPAN80R280P7XKSA1 și referința IPAN80R280P7.
Tehnologia CoolMOS™ P7 și caracteristicile semiconductoare includ poartă protejată ESD. Parametrii declarați pentru acest model sunt cei de mai jos.
- Tensiune drenă-sursă: 800V
- Curent drenă: 10,6A
- Putere disipată: 30W
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,28Ω
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
Producător: INFINEON TECHNOLOGIES
Documentație N-MOSFET 800V 10,6A TO220FP
Recenzii N-MOSFET 800V 10,6A TO220FP
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare TO220
258,59RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/SW
Radiator extrudat cu aripioare TO220 negru
266,82RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-208/1000/M
Radiator extrudat TO220, natural, 1m
202,08RON / bucTVA inclus