Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A
Cod producător: IPW80R280P7XKSA1Cod produs: IPW80R280P7
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 800V
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 800V · 10,6A · 101W · PG-TO247-3
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
34,98 RON / bucată
TVA inclus
28,91 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 800V
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
Specificații Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | INFINEON TECHNOLOGIES | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 800V | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Carcasa | PG-TO247-3 | |
| Tehnologie | CoolMOS™ P7 | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,28Ω | |
| Incarcatura poarta | 36nC | |
| Putere disipata | 101W | |
| Curent drena | 10,6A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A
Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A
Tranzistorul IPW80R280P7XKSA1 / IPW80R280P7 este un N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES, în carcasă PG-TO247-3, pentru montare THT.
Acest model are tehnologie CoolMOS™ P7, tensiune drenă-sursă de 800V și rezistență în timpul funcționării de 0,28Ω.
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Curent drenă: 10,6A
- Putere disipată: 101W
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
- Încărcătură poartă: 36nC
Caracteristica ESD protected gate este menționată în specificații, iar ambalarea este în tub.
Documentație Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
În stoc
Fără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESSPA15N60C3XKSA1
Tranzistor N-MOSFET 650V 9.4A
34,98RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIRFP3703PBF
Tranzistor N-MOSFET 30V 210A TO247AC
34,98RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIRF100B201
Rezistor N-MOSFET 100V 136A TO220AB
34,98RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIRFB7430PBF
Tranzistor N-MOSFET 40V 409A TO220AB
34,63RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIPP023NE7N3GXKSA1
Tranzistor N-MOSFET INFINEON 75V 120A 300W IPP023NE7N3GXKSA1 PG-TO220-3
35,33RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIPA80R310CEXKSA2
Tranzistor N-MOSFET INFINEON 800V 16,7A IPA80R310CEXKSA2 TO220-3
34,50RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIPP034NE7N3GXKSA1
Tranzistor N-MOSFET 75V 100A
35,56RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESSPP20N60C3
Tranzistor N-MOSFET 600V 20,7A 208W PG-TO220-3
35,67RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIRFP4110PBFXKMA1
Tranzistor N-MOSFET INFINEON IRFP4110PBFXKMA1 100V 180A TO247AC
35,67RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIPP026N10NF2SAKMA1
Tranzistor N-MOSFET INFINEON 100V 184A 250W TO220-3 IPP026N10NF2SAKMA1
35,67RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIPP037N08N3GXKSA1
Tranzistor N-MOSFET 80V 100A
34,28RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIRFB3004PBF
Tranzistor N-MOSFET INFINEON IRFB3004PBF 40V 340A 380W TO220AB
34,28RON / bucTVA inclus