Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A
Cod producător: G3R350MT12D
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC / G3R™
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- -5...15V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO247-3
Tranzistor: N-MOSFET · SiC · unipolar · 1,2kV · 8A · Idm: 16A · 74W
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
37,51 RON / bucată
TVA inclus
31,00 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC / G3R™
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune poarta sursa
- -5...15V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO247-3
Specificații Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC / G3R™ | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tensiune poarta sursa | -5...15V | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Carcasa | TO247-3 | |
| Curent drena | 8A | |
| Curent de drena in impuls | 16A | |
| Tensiune drena sursa | 1,2kV | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,35Ω | |
| Incarcatura poarta | 12nC | |
| Putere disipata | 74W |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A
Tranzistor N-MOSFET 1,2kV 8A
G3R350MT12D este un tranzistor N-MOSFET cu tehnologie SiC, de la GeneSiC SEMICONDUCTOR, pentru montare THT și carcasă TO247-3.
Este un dispozitiv unipolar, cu subtip canal îmbogăţit, tensiune drenă-sursă de 1,2kV și curent de drenă de 8A.
- Tehnologie: SiC
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Curent drenă: 8A
- Tensiune drenă-sursă: 1,2kV
- Carcasă: TO247-3
Specificațiile includ rezistenţă în timpul funcţionării de 0,35Ω, încărcătură poartă de 12nC, putere disipată de 74W și curent de drenă în impuls de 16A.
Documentație Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A
Recenzii Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
441,94RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,26RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,16RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,24RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,73RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,75RON / bucTVA inclus