Memorie SRAM 2Mb 128kx16, 10ns

Memorie SRAM 2Mb 128kx16, 10ns

Memoria SRAM ISSI IS61LV12816L-10TLI, cu referința internă 61LV12816L10TLI, este un circuit integrat pentru aplicații cu interfață paralelă și montare SMD.

Acest model are organizare 128kx16bit, timp de acces 10ns și tensiune de lucru 3,3V.

• Tip circuit integrat: memorie SRAM
• Subtip memorie: SRAM
• Carcasă: TSOP44 II
• Temperatura de lucru: -40...85°C
• Memorie: 2Mb SRAM

Produsul este destinat utilizării ca memorie SRAM paralelă, conform specificațiilor de mai sus.