GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J N-MOSFET SiC 1,7kV 4A TO263-7

La ce se foloseşte G2R1000MT17J

Este un tranzistor de putere din carbură de siliciu (SiC), cu canal N, în regim de îmbogăţire, destinat comutaţiei la frecvenţă înaltă şi cu pierderi reduse în conducţie la temperaturi ridicate.

Comanda porţii se face cu niveluri de -5 V / +20 V. Rezistenţa tipică în conducţie este de 1000 mΩ, iar tranzistorul are robusteţe ridicată la avalanşă şi la scurtcircuit.

Aplicaţii tipice

Se utilizează în surse auxiliare, surse în comutaţie, convertoare de înaltă tensiune şi sisteme cu putere în impulsuri. Printre avantaje se numără densitatea de putere crescută pentru sisteme compacte, pierderile reduse şi oscilaţiile minime pe poartă.

Capsulă, pini şi montaj

G2R1000MT17J are capsulă TO-263-7, pentru montare SMD, şi este ambalat în tub. Pinii sunt D (drenă), G (poartă), S (sursă) şi KS (sursă Kelvin).

Capsula este optimizată, cu pin separat pentru sursa driverului.