Tranzistor IGBT 1,7kV 10A
Cod producător: IXBT10N170
🔍 zoomSpecificații cheie
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Montare
- SMD
- Curent de colector pulsat
- 40A
- Subtip ambalaj
- tub
- Tehnologie
- BiMOSFET™
- Caracteristici elemente semiconductoare
- de tensiune înaltă
- Tip tranzistor
- IGBT
- Curent de colector
- 10A
Tranzistor: IGBT · BiMOSFET™ · 1,7kV · 10A · 140W · TO268
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
81,40 RON / bucată
TVA inclus
67,27 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Montare
- SMD
- Curent de colector pulsat
- 40A
- Subtip ambalaj
- tub
- Tehnologie
- BiMOSFET™
- Caracteristici elemente semiconductoare
- de tensiune înaltă
- Tip tranzistor
- IGBT
- Curent de colector
- 10A
Specificații Tranzistor IGBT 1,7kV 10A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | IXYS | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Montare | SMD | |
| Curent de colector pulsat | 40A | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tehnologie | BiMOSFET™ | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | de tensiune înaltă | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Curent de colector | 10A | |
| Carcasa | TO268 | |
| Tensiune colector emitator | 1,7kV | |
| Timp dezactivare | 1,8µs | |
| Putere disipata | 140W | |
| Incarcatura poarta | 30nC | |
| Timp activare | 63ns |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor IGBT 1,7kV 10A
Tranzistor IGBT cu tensiune colector-emiţător 1,7kV
IXBT10N170 este un tranzistor IGBT de la IXYS, cu montare SMD și carcasă TO268. Este definit prin tehnologie BiMOSFET™ și este încadrat la componente semiconductoare de tensiune înaltă.
- Curent de colector: 10A
- Tensiune colector-emiţător: 1,7kV
- Curent de colector pulsat: 40A
- Putere disipată: 140W
- Tensiune poartă - emitor: ±20V
Datele de comutație indicate includ timp activare de 63ns, timp dezactivare de 1,8µs și încărcătură poartă de 30nC.
Documentație Tranzistor IGBT 1,7kV 10A
Recenzii Tranzistor IGBT 1,7kV 10A
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(10)
1 / 2
În stoc
Fără imagine
BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
OHMITEDA-T268-401E-TR
Radiator extrudat negru pentru TO268
21,97RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKFK 251 10 LF PAK
Radiator Cupru SMT 13x15x10mm 24K/W
9,61RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
PIERGIACOMI5 SA ESD
Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD
88,50RON / bucTVA inclus